Skip to content

Твоя аспирантура

Процесс подготовки и защиты диссертации

  • Файлы для аспирантов
  • Каталог конференций
  • Публикации и статьи
  • Адреса постдоков и грантов
  • Фонды и организации
  • Аспирантуры России
  • Аспирантуры Москвы
  • Аспирантуры Санкт-Петербурга
  • Контакты
  • Toggle search form

III Международная конференция “Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов”

Posted on 14 августа 2021 By admin Комментариев к записи III Международная конференция “Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов” нет

ФИЦ «Информатика и управление» РАН
ВМК МГУ (факультет вычислительной математики и кибернетики Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова)
АО НИИМЭ (Научно-исследовательский институт молекулярной электроники)
Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»
Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»
МАИ (Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)


25 - 27 октября 2021 года
г. Москва

Уважаемые
коллеги!

Приглашаем
Вас принять участие в

 III
Международной конференции «
Математическое
моделирование в материаловедении электронных компонентов
»,

которая
будет проводиться с 25 по 27 октября 2021г. в Москве на базе Федерального
исследовательского центра "Информатика и управление" РАН (планируется
онлайн-формат проведения).

 

Тематика
III Международной конференции
«Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов»:

A.    Современные проблемы
создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с
заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа
больших данных;

B.    Проблемы развития
материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур;

C.    Математическое
моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные
модели, имитационные модели и т.д.).

D.    Моделирование размерных,
радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой
наноэлектронике;

E.     Моделирование 
работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения;

F.     Моделирование структур и
свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами,
наноаморфными включениями и т.д.

G.    Проблемы обеспечения
надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе.

 

ПРЕДСТАВЛЕНИЕ
МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ УЧАСТИЯ

Тезисы докладов должны
быть присланы не позднее 3 октября 2021г. с
названием и авторами предполагаемого доклада  и заполненной заявкой на участие
(matmodel2013@gmail.com).

 

Тезисы докладов
принимаются в формате Microsoft Word. Объем – до трёх полных страниц формата
A4. Правила и образец оформления размещены на сайте конференции.

 

Для участия в
Конференции в качестве слушателя (без доклада) необходимо до 22 октября 2021г. зарегистрироваться на сайте конференции.

 

Оргвзнос
для участников из России и стран СНГ составляет 4500 руб., для
аспирантов - 3000 руб., студенты от оргвзноса
освобождаются. Оплата в случае заочного участия включает расходы на
публикацию тезисов одного доклада в сборнике материалов конференции и
составляет 2400 руб. для всех категорий участников.

Оплата
конференционных взносов до 15 октября 2021г.

 

Решение
о включении докладов в программу конференции и дальнейшая информация  будет
содержаться во Втором информационном сообщении, которое будет разослано
зарегистрировавшимся участникам по указанным в заявках электронным адресам до 10 октября 2021г.

 

КОНТАКТЫ

Почтовый
адрес:
119333, Москва, ул. Вавилова,
д. 40, комнаты 121, 121А.

Телефон: 8 495 938 28 67, к.121А;

e-mail: matmodel2013@gmail.com

Web-сайт:
https://mmhs.frccsc.ru/conferences/mmmsec2021/

События

Навигация по записям

Previous Post: VI Всероссийская конференция с международным участием «Проблемы и перспективы развития туризма в Российской Федерации»
Next Post: Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием “Наука – физической культуре и спорту”

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

 

Рубрики

  • Аспирантуры России
  • Гранты
  • Документы
  • Журналы ВАК
  • Законы
  • Книги
  • Научные статьи
  • Новости
  • Паспорт специальности
  • Полезно знать
  • События
  • Статьи
  • Юмор

Архив

Избранные загрузки

  • Как опубликовать статью в иностранном журнале (2300 Загрузок)
  • Скачать шаблон кандидатской диссертации (4059 Загрузок)
  • ПРАКТИЧЕСКИЕ СОВЕТЫ (6585 Загрузок)

Памятка аспиранта

  • Введение
  • Базовые требования
  • Требования к диссертации
  • Действия до предзащиты
  • Предварительная защита
  • Действия после предзащиты
  • Подготовка документов
  • Структура автореферата
  • Предварительное рассмотрение работы
  • После успешного допуска
  • Действия до защиты
  • Подготовка ко дню защиты
  • Защита диссертации
  • После успешной защиты
  • Литература

Наша группа

Умные мысли

"Одна из самых невосполнимых потерь — потеря времени."

Ф. Бэкон

Полезное

  • Файлы для аспирантов
  • Каталог конференций
  • Публикации и статьи
  • Адреса постдоков и грантов
  • Фонды и организации
  • Аспирантуры России
  • Аспирантуры Москвы
  • Аспирантуры Санкт-Петербурга
  • Контакты

Шаблон диссертации

СКАЧАТЬ

Руководство

  • Введение
  • Что такое аспирантура
  • Научный руководитель
  • Что делать сразу после
  • Работа с литературой
  • Определение темы
  • Кто такие испытуемые?
  • Выбор методов и методик
  • Как обращаться с данными
  • Как распределить время
  • Что необходимо сделать
  • Структура кандидатской
  • Как приступить к написанию
  • Что надо к предзащите
  • Доклад на предзащите
  • Маленькая хитрость
  • Дополнительные советы

Copyright © 2025 Твоя аспирантура.