Skip to content

Твоя аспирантура

Процесс подготовки и защиты диссертации

  • Файлы для аспирантов
  • Каталог конференций
  • Публикации и статьи
  • Адреса постдоков и грантов
  • Фонды и организации
  • Аспирантуры России
  • Аспирантуры Москвы
  • Аспирантуры Санкт-Петербурга
  • Контакты
  • Toggle search form

V Международная конференция “Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов”

Posted on 6 сентября 2023 By admin Комментариев к записи V Международная конференция “Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов” нет

ФИЦ «Информатика и управление» РАН
ВМК МГУ (факультет вычислительной математики и кибернетики Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова)
АО НИИМЭ (Научно-исследовательский институт молекулярной электроники)
Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»
Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»


23 - 25 октября 2023 года
г. Москва

Уважаемые коллеги!
Приглашаем Вас принять участие в

 V Международной конференции «Математическое моделирование
в материаловедении электронных компонентов»,

которая будет проводиться с 23 по 25 октября 2023 г. в Москве на базе Федерального исследовательского центра «Информатика и управление» РАН
(планируется смешанный формат проведения).

 

Тематика V Международной конференции
«Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов»:

A. Современные
проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов
с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа
больших данных;

B.  Квантовые
технологии.  Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных
электронных гетероструктур;

C.  Математическое
моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные
модели, имитационные модели и т.д.).

D.  Моделирование
размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой
наноэлектронике;

E.   Моделирование 
работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения;

F.   Моделирование
структур и свойств конструкционных материалов для производства изделий ЭКБ,
включая композиционные материалы с нанокристаллами, нанокластерами,
наноаморфными включениями и т.д.

G.  Проблемы
обеспечения надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе.

 

ПРЕДСТАВЛЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ УЧАСТИЯ

Тезисы
докладов должны быть присланы не позднее 15 сентября 2023 г. с названием и авторами предполагаемого доклада  и
заполненной заявкой на участие (matmodel2013@gmail.com).

Тезисы
докладов принимаются в формате Microsoft Word. Объём – до трёх полных страниц
формата A4. Образец оформления доступен по ссылке.

Для
участия в Конференции в качестве слушателя (без доклада) необходимо до 20 октября 2023г. зарегистрироваться на сайте конференции.

 

Оргвзнос
для участников из России и стран СНГ составляет 4800 руб., для
аспирантов – 3000 руб., студенты от
оргвзноса освобождаются. Оплата в случае заочного участия включает расходы
на публикацию тезисов одного доклада в сборнике материалов конференции и составляет 2400
руб.
 для всех категорий участников.

Оплата
конференционных взносов до 18 октября 2023г.

 

Решение о
включении докладов в программу конференции и дальнейшая информация будут
содержаться во Втором информационном сообщении, которое будет разослано
зарегистрировавшимся участникам по указанным в заявках электронным адресам
до 17 октября 2023г.

 

КОНТАКТЫ

Почтовый
адрес: 
119333,
Москва, ул. Вавилова, д. 40, комнаты 121, 121А.

e-mail: matmodel2013@gmail.com

Web-сайт: https://conference.mmgs.ru/conferences/mmmsec2023/index.html

 

Дата публикации: 06.09.2023

События

Навигация по записям

Previous Post: IV Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием “Социальные и гуманитарные науки в XXI веке: итоги, вызовы, перспективы”
Next Post: Международный конкурс научно-исследовательских работ “Молодые ученые: новые открытия и инновации”

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

 

Рубрики

  • Аспирантуры России
  • Гранты
  • Документы
  • Журналы ВАК
  • Законы
  • Книги
  • Научные статьи
  • Новости
  • Паспорт специальности
  • Полезно знать
  • События
  • Статьи
  • Юмор

Архив

Избранные загрузки

  • Как опубликовать статью в иностранном журнале (2298 Загрузок)
  • Скачать шаблон кандидатской диссертации (4058 Загрузок)
  • ПРАКТИЧЕСКИЕ СОВЕТЫ (6585 Загрузок)

Памятка аспиранта

  • Введение
  • Базовые требования
  • Требования к диссертации
  • Действия до предзащиты
  • Предварительная защита
  • Действия после предзащиты
  • Подготовка документов
  • Структура автореферата
  • Предварительное рассмотрение работы
  • После успешного допуска
  • Действия до защиты
  • Подготовка ко дню защиты
  • Защита диссертации
  • После успешной защиты
  • Литература

Наша группа

Умные мысли

"Уходить от людей — это самоубийство."

Антон Чехов

Полезное

  • Файлы для аспирантов
  • Каталог конференций
  • Публикации и статьи
  • Адреса постдоков и грантов
  • Фонды и организации
  • Аспирантуры России
  • Аспирантуры Москвы
  • Аспирантуры Санкт-Петербурга
  • Контакты

Шаблон диссертации

СКАЧАТЬ

Руководство

  • Введение
  • Что такое аспирантура
  • Научный руководитель
  • Что делать сразу после
  • Работа с литературой
  • Определение темы
  • Кто такие испытуемые?
  • Выбор методов и методик
  • Как обращаться с данными
  • Как распределить время
  • Что необходимо сделать
  • Структура кандидатской
  • Как приступить к написанию
  • Что надо к предзащите
  • Доклад на предзащите
  • Маленькая хитрость
  • Дополнительные советы

Copyright © 2025 Твоя аспирантура.